由于IGBT的優(yōu)良性能和市場需求的旺盛,它的發(fā)展十分迅速，IGBT自80年代后期投人市場以來，產(chǎn)品已經(jīng)系列化，模塊化，容量不斷提高。
  以西門子的產(chǎn)品為例，已經(jīng)有600V和1200V1700V和3300V四個(gè)電壓等級的系列產(chǎn)品。
一單元模塊:1200V的達(dá)到2400A，1700V的達(dá)到1800A，3300V的達(dá)到1200A。
兩單元摸塊：1200V的達(dá)到800A，1700V的達(dá)到600A，3300V的達(dá)到400A，
六單元模塊：1200V的達(dá)到100-400A，1700V的達(dá)到75-300A。
IGBT的主要參數(shù)與基本特性：
  通常IGBT的使用手冊給出如下的幾個(gè)主要參數(shù).
1、集電極發(fā)射極額定電壓Uces，這個(gè)電壓值是廠家根據(jù)器件的雪崩擊穿電壓而規(guī)定的,是柵極-發(fā)射極短路時(shí)IGBT能承受的耐壓值,也就是說Uces值小于等于雪崩擊穿電壓。
2、柵極-發(fā)射極額定電壓 Uges， IGBT是電壓控制器件,靠加到柵極的電壓信號控制IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷,而Uges就是柵極控制信號的電壓額定值。目前,IGBT的Uges值大部分為+20V,在使用中,設(shè)計(jì)的控制電壓值不能超過該值。
3、額定集電極電流Ic，該參數(shù)給出了IGBT在導(dǎo)通時(shí)能流過管子的持續(xù)最大電流。
4、集電極-發(fā)射極飽和電壓Uce（sat),此參數(shù)給出IGBT在正常飽和導(dǎo)通時(shí)集電極-發(fā)射極之間的電壓降,此值越小,管子的功率損耗越小。IGBT模塊的Uce(值約為2.5~3.5V）。
5、開關(guān)頻率，在IGBT的使用手冊中,開關(guān)頻率是以導(dǎo)通時(shí)間ton、下降時(shí)間tt和關(guān)斷時(shí)間toff給出的,根據(jù)這些參數(shù)可估計(jì)IGBT的開關(guān)頻率。IGBT實(shí)際工作頻率都在100KHZ以下。因此，開關(guān)頻率高也是IGBT的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。